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科研进展

省科学院半导体院:高灵敏度应变传感器制备取得新突破

来源: 时间:2021-07-23
  

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  近日,省科学院半导体产业技术研究院科研人员采用电化学腐蚀方法实现了蓝宝石衬底的剥离,并将剥离后的微米线结构转移到PET柔性衬底上,通过对微米线器件施加外部应变,可调节量子阱异质结的能带,从而调控载流子传输,实现压电式应变传感,与已有的应变传感器相比,该结构具有成本低、易于制作、在低偏置和应变小的情况下具有较高的灵敏度等明显优点。

  相关结果以“The piezotronic effect in InGaN/GaN quantum-well based microwire for ultrasensitive strain sensor”为题发表于《Nano Energy(工程技术一区top2019年影响因子16.602),半导体院为论文共同第一作者单位。

  

  选择性电化学腐蚀制备InGaN/GaN多量子阱微米线型压电式应变传感器实验流程及SEM表征

  论文链接:

  (省科学院半导体院 材料外延平台/供稿)

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